SRAM (static RAM) เป็นหน่วยความจำชั่วคราวที่รักษาบิตข้อมูลในหน่วยความจำ ตราบที่ยังมีพลังงานจ่ายให้ ซึ่งแตกต่างจาก dynamic RAM (DRAM) ที่เก็บบิตในเซลล์ที่ประกอบด้วยคาปาซิเตอร์ และตัวต้านทาน SRAM จะไม่มีการ refresh เป็นระยะ ๆ SRAM ให้การเข้าเก็บข้อมูลเร็วกว่าและแพงกว่า DRAM และ SRAM จะใช้เป็น cache memory ของคอมพิวเตอร์ และเป็นส่วนของ random access memory digital-to-analog converter (RAMDAC) บนการ์ดวิดีโอ
Dynamic random access memory (DRAM) เป็นหน่วยความจำชั่วคราว (RAM) ที่ใช้โดยทั่วไปสำหรับคอมพิวเตอร์ส่วนบุคคล และเวิร์กสเตชัน หน่วยความจำเป็น เครือข่ายของการชาร์จไฟฟ้าที่จุดซึ่งเป็นที่เก็บของคอมพิวเตอร์ โดยมีการเข้าถึงข้อมูลอย่างรวดเร็วในรูปแบบ 0 และ 1 random access มีความหมายว่าโพรเซสเซอร์ของคอมพิวเตอร์ส่วนบุคคล สามารถเข้าถึงส่วนต่าง ๆ ของหน่วยความจำ หรือที่เก็บข้อมูลโดยตรงแทนที่การเข้าถึงแบบอนุกรมจากจุดเริ่มต้น DRAM แตกต่างจาก Static RAM (SRAM) โดย DRAM ต้องการให้เซลล์มีการ refresh หรือให้มีการชาร์จไฟฟ้าใหม่ ในช่วงเวลาที่เป็น milliseconds ในขณะที่ Static RAM ไม่จำเป็นต้อง refresh เพราะการทำงานอยู่บนหลักการของการย้ายกระแส เมื่อมีการสับเปลี่ยนในหนึ่งของสองทิศทางแทนการชาร์จประจุของเซลล์ Static RAM โดยทั่วไปใช้สำหรับ cache memory ซึ่งเข้าถึงได้เร็วกว่า DRAM
DRAM เก็บแต่ละบิตในเซลล์ที่ประกอบด้วยคาปาซิเตอร์ และตัวต้านทาน โดยคาปาซิเตอร์ มีแนวโน้ม สูญเสียการชาร์จ อย่างรวดเร็ว ดังนั้น จึงต้องการให้ชาร์จใหม่ RAM ยังมีอีกหลายประเภท เช่น extended data output RAM (EDO RAM) และ synchronous dynamic random access memory (SDRAM)
Flash memory (บางครั้งเรียกว่า "flash RAM") เป็นประเภทของ constantly-powered nonvolatile memory ที่สามารถลบและดปรแกรมใหม่ในหน่วยความจำที่เรียกว่า บล๊อก สิ่งนี้เป็นการเปลี่ยนแปลงของ electrically erasable programmable read-only memory (EEPROM) ซึ่ง ไม่เหมือนกับ flash memory ได้รับการลบและเขียนใหม่ที่ระดับไบต์ ซึ่งช้ากว่าการปรับปรุง flash memory ตามปกติ flash memory ได้รับการใช้เพื่อควบคุมคำสั่ง เช่น basic input/output system (BIOS) ในเครื่องคอมพิวเตอร์ส่วนบุคคล เมื่อ BIOS ต้องเปลี่ยนแปลง (เขียนใหม่) flash memory สามารถได้รับการเขียนลงในบล๊อก (แทนที่ไบต์) ทำให้ในการปรับปรุง อีกด้านหนึ่ง flash memory ไม่ใช้เป็น random access memory (RAM)
Flash memory ได้รับชื่อนี้เพราะการจัดไมโครชิป ดังนั้นส่วนของเซลหน่วยความจำได้รับการลบในกากระทำครั้งเดียว หรือ “flash” การลบเป็นเหตุโดย Fowler-Nordheim tunneling ซึ่งอิเลคตรอนแทรกผ่านวัสดุ dielectric บางเพื่อลบการปล่อยประจุอิเลคตรอนจาก floating gate ที่สัมพันธ์กับแต่ละเซลหน่วยความจำ Intel ให้รูปแบบของ flash memory ที่เก็บ 2 บิต (แทนที่ 1 บิต) ในแต่ละเซลหน่วยความจำ ดังนั้นเพิ่มความจุหน่วยความจำเป็น 2 เท่าโดยปราศจากการเพิ่มราคา
Flash memory ได้รับการใช้โทรศัพท์เซลลูลาร์ดิจิตอล, กล้องดิจิตอล, PC Card สำหรับคอมพิวเตอร์ notebook, สวิตช์ LAN, set-up box ดิจิตอล, ตัวควบคุมแบบฝัง และอุปกรณ์อื่นๆ
EEPROM เป็นหน่วยความจำแบบอ่านอย่างเดียว ที่ผู้ใช้ปรับปรุงได้ ซึ่งสามารถลบ และโปรแกรมใหม่ได้ด้วยการประยุกต์ของความต่างศักย์ที่สูงกว่าปกติ แต่ไม่เหมือนกัน erasable programmable read-only memory (EPROM) โดย EEPROM จะต้องและโปรแกรมใหม่ทั้งหมดไม่สามารถเลือกได้ และอายุการใช้ขึ้นกับจำนวนครั้งในการโปรแกรม ตั้งแต่หลายสิบครั้ง หลายหมื่นครั้ง ใน EEPROM ที่มีความถี่ในการโปรแกรมใหม่ ขณะที่คอมพิวเตอร์ใช้งาน ต้องพิจารณาอายุของ EEPROM ในการออกแบบ รูปแบบพิเศษของ EEPROM คือ flush memory ซึ่งใช้ความต่างศักย์ปกติของคอมพิวเตอร์ส่วนบุคคลในการและโปรแกรมใหม่
EPROM = Erasable Programmable Read-Only Memory หรือ เอ็ปรอม คือพีรอมซึ่งสามารถลบและนำมาใช้ซ้ำได้ การลบข้อมูลในเอ็ปรอมสามารถทำได้โดยการนำไปตากแดด รังสีอุลตร้าไวโอเล็ตในแสงแดงจะทำปฏิกิริยากับชิพหน่วยความจำและลบข้อมูลทั้งหมดออกไป อย่างไรก็ตามการลบข้อมูลจะเกิดขึ้นภายใต้แสงแดดจัดเท่านั้น แสงแดดที่ส่องผ่านเข้ามาในห้องอาจมีปริมาณรังสีอุลตร้าไวโอเล็ตไม่เพียงพอสำหรับกระบวนการดังกล่าวได้
นวัตกรรมจาก samsung โดย NAND Flash Drive ใช้โครงสร้างการผลิตแบบเดียวกับการผลิต CF Card นั่นเอง โดย NAND Flash Drive จะถือเป็นอุปกรณ์จัดเก็บข้อมูลสำหรับอุปกรณ์พกพาไม่ว่าจะเป็น Notebook, PDA Phone สำหรับอนาคต ข้อดีที่ดีกว่าฮาร์ดดิสก์แบบ 2.5 นิ้ว ในปัจจุบันก็คือน้ำหนักที่เบากว่า และการบริโภคพลังงานที่น้อยกว่านั่นเอง โดยผู้พัฒนาเทคโนโลยีซัมซุงนั่นสามารถผลิตชิพความจำ NAND (Flash Memory) ให้มีขนาดบางลงอย่างไม่น่าเชื่ออยู่ที่แค่ 0.6 มิลลิเมตร (หรือ 0.02 นิ้ว) เท่านั่นเอง NAND ขนาด 0.6 มิลลิเมตรจะมีขนาดความจำเริ่มต้นถึง 32GB เลยที เดียวปัจจุบันเทคโนโลยี NAND นั่นถูกใช้เป็นมาตรฐาน Memory (ความจำ) โดยทั่วไปอย่างล้นหลายในไม่ว่าจะเป็นความจำของมือถือ, เครื่องเล่น mp3, หรือกล้องดิจิตอล หลายสือได้สันนิษฐานว่าการพัฒนาในการลดขนาด NAND ของ ซัมซุงอาจเป็นการกระตุ้นให้ราคา SSD (Solid-State Drive) ตกลงขึ้นมาได้
nonvolatile storage หรือ nonvolatile RAM (NVRAM) เป็นรูปแบบของ static RAM ที่เพื่อได้รับการบันทึกเมื่อคอมพิวเตอร์ปิด หรือไม่มีแหล่งพลังงานภายนอก NVRAM สามารถทดลองโดยให้ static RAM ต่อกับแบตเตอรี่สำรอง หรือโดยการบันทึกเนื้อหา และดึงจาก electrically erasable programmable ROM โมเด็มบางแบบใช้ NVRAM เป็นที่เก็บค่าตั้งต้น หรือ หมายเลขโทรศัพท์ที่ผู้ใช้เจาะจง และรายละเอียดของโมเด็ม
